Effect of fission products on tensile strength of UO<sub>2</sub> Σ3 (111)/[1<math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" altimg="si1.svg" class="math"><mover accent="true"><mn>1</mn><mo stretchy="true">¯</mo></mover></math>0] and UO<sub>2</sub> Σ11 (1<math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" altimg="si1.svg" class="math"><mover accent="true"><mn>1</mn><mo stretchy="true">¯</mo></mover></math>3)/[110] grain boundaries from first-principles study

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然而，本轮涨价与以往周期最大的不同在于一个关键变量——HBM（高带宽内存）的爆发式增长。AI芯片（如英伟达H200/B200）对HBM的需求是传统DRAM的数倍甚至数十倍。三大原厂将大量先进制程产能转向HBM，挤占了原本用于生产手机LPDDR（低功耗内存）的产能。这种“结构性短缺”成为本轮涨价的核心推手。

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